2019兰州理工大学电子基础技术专升本—模拟电子技术
2019-12-11 10:29:31
来源：甘肃中公教育
一、半导体基础知识、半导体二极管和半导体三极管
1.半导体基础知识
2. PN结的形成、单向导电性、伏安特性
3.半导体二极管的结构、伏安特性；半导体二极管的分析方法；半导体二极管的主要参数
4.半导体三极管的结构及类型；半导体三极管的工作原理；半导体三极管的主要参数
重点掌握：
1．二极管的主要特性：单向导电性。
2．双极型三极管的电流放大作用；三个工作区域（放大区、截止区、饱和区）的发射结和集电结的电压偏置条件。
二、基本放大电路
1.放大电路的主要技术指标
2.放大电路的组成和工作原理
3.放大电路的分析方法
4.三种组态BJT放大电路
重点掌握：
1．共射放大电路、共集电极放大电路、共基极放大电路的静态工作点计算；直流通路与交流通路。
2．三极管简化微变等效电路（简化H参数模型），据此计算三种组态放大电路的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
三、 反馈
1.反馈的基本概念与分类
2.反馈放大电路增益的一般表达式
3.负反馈对放大器性能的影响
4.深度负反馈条件下的近似计算
重点掌握：
1．负反馈对放大电路性能的改善，电压反馈、电流反馈、串联反馈和并联反馈所起的稳定作用。
2．判断电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈和电流串联负反馈等四种组态电路。
3.深度负反馈条件下上述四种组态电路的近似计算。
四、运算放大器
1.理想运算放大器
2.运算放大器的线性应用
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